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MOSFET单ZVN1409ASTOB晶体管FET

吉林快3开奖结果安卓版 www.zjqff.com 发布时间:2018-4-10 9:16:00 访问次数:90 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

ZVN1409ASTOB介绍;

描述 MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

详细描述 通孔 N 沟道 90V 10mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 90V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6.5pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 625mW(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 250 欧姆 @ 5mA,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 E-Line(TO-92 兼容)

封装/外壳 E-Line-3



安富利(深圳)商贸有限公司介绍;

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1945年秋天,贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组,成员有布拉顿、巴


丁等人。布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作,长期从事半导体的研究,积累


了丰富的经验。他们经过一系列的实验和观察,逐步认识到半导体中电流放大效应产生


的原因。布拉顿发现,在锗片的底面接上电极,在另一面插上细针并通上电流,然后让


另一根细针尽量靠近它,并通上微弱的电流,这样就会使原来的电流产生很大的变化。


微弱电流少量的变化,会对另外的电流产生很大的影响,这就是“放大”作用。

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