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根据用途选择合适介质电容器参考表2018-1-25 22:06:26
成本:在满足技术指标条件下,尽量使用价格低廉的电容器,以降低系统成本。LM2575T-5.0表2,3,3列出了根据用途选择合适介质电容器的参考表。表233根据用途选择...[全文]
2018-1-12 22:12:35
(1)测试前务必按照制造商的要求加接?;ご胧?。(2)测试速率每分钟1次,不宜太快,以便给?;て骷幸桓鲂阅芑指吹墓?。事实上OPA2364IDR,自然界的雷击现象和开关站大型开关的...[全文]
SPWM控制的基本原理2018-1-5 20:57:39
根据采样控制理论的重要原理一一冲量相等而形状不同的窄脉冲作用于具有惯性的环节上时,NRH3010T470MNV其效果基本相同。窄脉冲的冲量是指其在时间轴上的积分,即面积。效果基本相同是指惯性环节...[全文]
手工焊接技术2017-12-21 21:17:28
手工焊接是焊接技术的基础,也是电子产品装配中的一项基本操作技能。手工焊接适用于小批量生产的小型化产品、一般结构的电子整机产品、K2500G具有特殊要求的高可靠产品、某些不便于机器焊接的场合及在调...[全文]
元器件不得立体交叉和重叠上下交叉,2017-12-17 18:48:40
元器件不得立体交叉和重叠上下交叉,避免元器件外壳相碰,如图⒋1巧所示。S29JL064H-70TFI00元器件的安装高度要尽量低,一般元件体和引线离开板面不要超过5mm,过高则承受...[全文]
扬声器的检测2017-12-16 13:13:38
1)估计阻抗和判断好坏REF02CP将万用表置于R×1挡,调零后测出扬声器音圈的直流铜阻R,然后用估计公式1.17R计算出扬声器的阻抗。如果测得一无标记的扬声器的直流铜阻为6.8Ω...[全文]
按制作工艺分类2017-12-15 21:30:23
根据不同的制作工艺,集成电路有半导体集成电路、厚膜集成电路、薄膜集H27U4G8F2ETR-BC成电路和混合集成电路。1)半导体集成电路用平面工艺在半导体晶片上制成的...[全文]
电阻器的标注方法2017-12-11 20:58:24
电阻器的标注方法JK130-02由于受电阻器表面积的限制,通常在电阻器外表面上标注电阻器的类别、标称阻值、精度等级、允许误差和额定功率等主要参数。常用的标注方法有以下几种。...[全文]
全桥的检测2017-12-7 21:05:25
(1)全桥的检测。大多数NC7WZ07P6X的整流全桥上均标注有“+”、“-”、“~”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为整流后输出电压的负极,“~”为交流电压输人端),很容易确定出...[全文]
对于正、负极标志不明的电解电容器2017-12-7 20:54:19
对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。JS29F16G08FANC1即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向...[全文]
发射光谱波长比激发光谱波长长2017-12-6 21:18:54
发射光谱波长比激发光谱波长长,即发射光子的能量通常小于激发光子的能量,这种规律称为斯托克斯定律(stokcsLaw),即大多数情况下吸收能量高于发射的能量。通常将二者能量差称为斯托克斯位移(St...[全文]
集束型晶圆制造装备调度分类 2017-11-26 14:40:34
正如1,3节所述,集束型装备具有高度复杂性,这给集束型装备的调度带来了较大的困难。A915BY-4R7M按照调度类型、三邻域(α/'//)、调度环境和任务、调度方法的不同,集束型装备调度问题可有...[全文]
调度资源 2017-11-26 14:35:19
集束型装各调度的资源主要包括两大类:硬件资源和软件资源。其中,硬件资A915BY-220M源是指晶圆加工过程中使用的设各、原材料及辅助材料、参与加工过程的各类人员等;软件资源是指加工过程中使用的...[全文]
机器人制造单元2017-11-25 19:29:17
机器人制造单元是一种具有阻塞的流水线车间。许多工业(如半导体制造、玻璃制TBPS1R104K475H5Q造、光纤产品、注塑成型等)都采用机器人制造单元。该领域研究内容包括加工站的布置、产品通过各...[全文]
纳米探针技术2017-11-15 20:13:10
随着半导体制程的不断发展,越来越多造成器件失效的原因已经不再是外来的杂质微?;蚩杉瞥倘毕?而是那些不容易被发现的微弱的内在缺陷。TL5001CDR如栅氧化层的击穿、衬底缺陷、离子注人计量些微或...[全文]
尖峰退火2017-11-10 22:30:57
如图10.12所示,尖峰退火是浸入式退火的一种极致。在尖峰退火过程中,晶圆以OP177GS极快的升温速度(最快可达近250°/s)升高到设定的温度后,叉以较快的降温速度(最快可达近90°/s)将...[全文]
sMT氮化硅工艺介绍及其发展2017-10-22 11:01:55
用等离子增强气相沉积技术制备的氮化硅薄膜,在半导体工业界已经被广泛应用,其沉积工艺也非常成熟。TC4428AEOA713本节主要着眼于介绍应力记忆技术所采用的高拉应力氮化硅及其性质以及氮化硅性质...[全文]
晶闸管便进人正向导电状态2017-10-20 21:33:41
当控制极开路,阳极上加正向电压时,J1、J3结正偏,但⒓结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,NB3L553DR2G也只能流过很小的电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,的伏安特性发...[全文]
电阻焊2017-9-29 19:47:43
电阻焊。L6599DTR电阻焊是将焊件压紧于两电极之间,并通以电流,利用电流流经焊件接触面及其邻近区域所产生的电阻热将其加热到熔化或塑性状态,使之形成金属结合的一种工艺方法。如图4,2所示为电阻...[全文]
简图布局2017-9-28 22:41:26
简图布局的基本原则是:分布合理、排列均匀、图面清晰、读图方便。P82B96TD表示设各功能和工作原理的简图,特别是电路图和逻辑图采用功能布局法,即将电路划分为若干功能,按因果关系,从左到右、自上...[全文]
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